اینتل در تلاش است تا در سال های آینده لیتوگرافی های جدیدی مانند 20A (معادل 2 نانومتر) و 18 آمپر (معادل 1.8 نانومتر) را وارد خط تولید پردازنده کند. این شرکت در سال 2021 به سراغ لیتوگرافی 10 نانومتری اینتل 7 با پردازنده های سری Alder Lake رفت و سپس دوباره از این لیتوگرافی در پردازنده های Raptor Lake، Sapphire Rapids، Xe-HP و Xe-HPC استفاده کرد. بر اساس گزارش Wccftech، اینتل قصد دارد تا بخشی از لیتوگرافی جدید خود را در نیمه اول سال آینده تولید انبوه کند.
اینتل روند تحقیق و توسعه لیتوگرافی Intel 4 (کلاس 7 نانومتری) را ادامه می دهد و احتمالاً برای اولین بار از این لیتوگرافی در پردازنده های Meteor Lake و Granite Rapids استفاده خواهد کرد.
به لطف فناوری EUV، عملکرد لیتوگرافی Intel 4 در هر وات (PPW) 20 درصد بهتر از اینتل 7 است. علاوه بر این، اینتل از فناوری EUV به روش گسترده‌تری در لیتوگرافی اینتل 3 استفاده می‌کند و عملکرد در هر وات را به 18 درصد افزایش می‌دهد.
سپس اینتل از لیتوگرافی Intel 20A و Intel 18A از طریق اسکنرهای پیشرفته EUV ساخته شده توسط ASML برای تولید پردازنده هایی با ترانزیستورهای 2 نانومتری و 1.8 نانومتری استفاده می کند.